
IMT65R033M2HXUMA1 | |
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Número de produto da DigiKey | 448-IMT65R033M2HXUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMT65R033M2HXUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMT65R033M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMT65R033M2HXUMA1 |
Descrição | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempo de espera previsto do fabricante | 23 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 68A (Tc) 312W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-2 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 20V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 30mOhm a 27,9A, 20V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,6V a 5,7mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 34 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +23V, -7V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1215 pF @ 400 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 312W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-HSOF-8-2 | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 9,59000 $ | 9,59 $ |
| 10 | 6,58700 $ | 65,87 $ |
| 100 | 5,33280 $ | 533,28 $ |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2 000 | 4,35688 $ | 8 713,76 $ |
| Preço unitário sem VAT: | 9,59000 $ |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 11,79570 $ |




