
IMT65R060M2HXUMA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMT65R060M2HXUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMT65R060M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMT65R060M2HXUMA1 |
Descrição | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempo de espera previsto do fabricante | 23 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 41,4A (Tc) 208W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-2 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IMT65R060M2HXUMA1 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 20V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 55mOhm a 15,4A, 20V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,6V a 3,1mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 19 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +23V, -7V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 669 pF @ 400 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 208W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-HSOF-8-2 | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 5,44000 € | 5,44 € |
| 10 | 3,65100 € | 36,51 € |
| 100 | 2,63890 € | 263,89 € |
| 500 | 2,63552 € | 1 317,76 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2 000 | 2,15321 € | 4 306,42 € |
| Preço unitário sem VAT: | 5,44000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 6,69120 € |




