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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IMT65R075M2HXUMA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IMT65R075M2HXUMA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMT65R075M2HXUMA1 |
Descrição | SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 61 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 178W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 20V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 95mOhm a 11,9A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,6V a 2,4mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 14.9 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +25V, -10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 516 pF @ 400 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 178W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-HSOF-8 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 4,85000 € | 4,85 € |
| 10 | 3,23800 € | 32,38 € |
| 100 | 2,32470 € | 232,47 € |
| 500 | 1,93512 € | 967,56 € |
| 1 000 | 1,85029 € | 1 850,29 € |
| Preço unitário sem VAT: | 4,85000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 5,96550 € |
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