Name: IMTA65R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R020M2HXTMA1TR-ND
Price: 16.0023 EUR
Availability: InStock

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IMTA65R020M2HXTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IMTA65R020M2HXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMTA65R020M2HXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMTA65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMTA65R020M2HXTMA1
Descrição	SILICON CARBIDE MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 77A (Tc) 416W (Tc)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IMTA65R020M2HXTMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V
Fabricante Infineon Technologies	Rds on (máx.) para Id, Vgs 18mOhm a 46,9A, 20V
Séries CoolSiC™	Vgs(th) (máx.) para Id 5,6V a 9,5mA
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 57 nC @ 18 V
Part Status Ativo	Vgs (máx.) +23V, -7V
Tipo de FET Canal N	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2038 pF @ 400 V
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Dissipação de potência (máx.) 416W (Tc)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 77A (Tc)