Name: IMW120R030M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R030M1HXKSA1-ND
Price: 16.9002 EUR
Availability: OutOfStock

IMW120R030M1HXKSA1
Número de produto da DigiKey	448-IMW120R030M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMW120R030M1HXKSA1
Descrição	SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Furo passante PG-TO247-3-41
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IMW120R030M1HXKSA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolSiC™
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	56A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	40mOhm a 25A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	5,7V a 10mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	63 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2120 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	227W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO247-3-41
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	IMW120

Preço unitário sem VAT:	13,74000 €
Preço unitário com VAT:	16,90020 €

IMW120R030M1HXKSA1