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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IMW65R015M2HXKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IMW65R015M2HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMW65R015M2HXKSA1 |
Descrição | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempo de espera previsto do fabricante | 23 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 93A (Tc) 341W (Tc) Furo passante PG-TO247-3-40 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 20V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 13,2mOhm a 64,2A, 20V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,6V a 13mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 79 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +23V, -7V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 2792 pF @ 400 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 341W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO247-3-40 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Em estoque: 175
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 16,10000 € | 16,10 € |
| 30 | 10,08067 € | 302,42 € |
| 120 | 9,27225 € | 1 112,67 € |
| Preço unitário sem VAT: | 16,10000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 19,80300 € |
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