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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IMZA75R008M1HXKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMZA75R008M1HXKSA1 |
Descrição | SILICON CARBIDE MOSFET |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Furo passante PG-TO247-4-U02 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IMZA75R008M1HXKSA1 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Não para novos designs | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 750 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 20V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 7,2mOhm a 90,3A, 20V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,6V a 32,4mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 178 nC @ 500 V | |
Vgs (máx.) | +23V, -5V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 6137 pF @ 500 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 517W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO247-4-U02 | |
Pacote / Invólucro |
0 em estoque
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 30,11000 € | 30,11 € |
| 30 | 19,87933 € | 596,38 € |
| 120 | 19,71675 € | 2 366,01 € |
| Preço unitário sem VAT: | 30,11000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 37,03530 € |
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