Name: IPAN65R650CEXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPAN65R650CEXKSA1-ND
Price: 2.0541 EUR
Availability: InStock

Canal N 650 V 10,1A (Tc) 28W (Tc) Furo passante PG-TO220-FP

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IPAN65R650CEXKSA1
Número de produto da DigiKey	IPAN65R650CEXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPAN65R650CEXKSA1
Descrição	MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 10,1A (Tc) 28W (Tc) Furo passante PG-TO220-FP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPAN65R650CEXKSA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 210µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 23 nC @ 10 V
Séries CoolMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Tubo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 440 pF @ 100 V
Part Status Última compra	Dissipação de potência (máx.) 28W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Furo passante
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO220-FP
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 10,1A (Tc)	Pacote / Invólucro Pacote completo TO-220-3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPAN65
Rds on (máx.) para Id, Vgs 650mOhm a 2,1A, 10V

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Substitutos (5)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
IPAN70R600P7SXKSA1	Infineon Technologies	500	IPAN70R600P7SXKSA1-ND	1,58000 €	Recomendado pelo fabricante
FCPF850N80Z	onsemi	753	FCPF850N80Z-ND	3,37000 €	Similar
IXTP4N70X2M	IXYS	24	238-IXTP4N70X2M-ND	4,33000 €	Similar
STF10LN80K5	STMicroelectronics	183	497-16499-5-ND	3,39000 €	Similar
STP10NK70ZFP	STMicroelectronics	951	497-12602-5-ND	4,67000 €	Similar

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Data da última compra: 30/09/2026

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	1,67000 €	1,67 €

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