Name: IPB020N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB020N08N5ATMA1TR-ND
Price: 5.4612 EUR
Availability: InStock

IPB020N08N5ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB020N08N5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB020N08N5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPB020N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB020N08N5ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB020N08N5ATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,8V a 208µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	166 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	12100 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	300W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-3
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	IPB020

Preço unitário sem VAT:	4,44000 €
Preço unitário com VAT:	5,46120 €

IPB020N08N5ATMA1