Name: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 6.1131 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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IPB021N10NM5LF2ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Descrição	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 30A (Ta), 176A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB021N10NM5LF2ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 5
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	30A (Ta), 176A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V, 15V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2mOhm a 100A, 15V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,9V a 280µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	17000 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-3-2
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB