Name: IPB027N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB027N10N3GATMA1TR-ND
Price: 7.0356 EUR
Availability: InStock

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IPB027N10N3GATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB027N10N3GATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB027N10N3GATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPB027N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB027N10N3GATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 120A (Tc) 300W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB027N10N3GATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 275µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 206 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 14800 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 120A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Número base de produto IPB027
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,7mOhm a 100A, 10V