


IPB049NE7N3GATMA1 | |
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Número de produto da DigiKey | IPB049NE7N3GATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB049NE7N3GATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPB049NE7N3GATMA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPB049NE7N3GATMA1 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) | |
Part Status | Obsoleto | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 75 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 4,9mOhm a 80A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3,8V a 91µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 68 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 4750 pF @ 37.5 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 150W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO263-3 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
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| 1 | 3,04000 € | 3,04 € |
| 10 | 1,98700 € | 19,87 € |
| 100 | 1,38830 € | 138,83 € |
| Preço unitário sem VAT: | 3,04000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 3,73920 € |









