Name: IPB057N06NATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB057N06NATMA1TR-ND
Price: 2.337 EUR
Availability: InStock

IPB057N06NATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB057N06NATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB057N06NATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPB057N06NATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB057N06NATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 17A (Ta), 45A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB057N06NATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	17A (Ta), 45A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	5,7mOhm a 45A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,8V a 36µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2000 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-3
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	IPB057

Preço unitário sem VAT:	1,90000 €
Preço unitário com VAT:	2,33700 €

IPB057N06NATMA1