Name: IPB090N06N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB090N06N3GATMA1TR-ND
Price: 1.9434 EUR
Availability: OutOfStock

Preciso de ajuda?

Comentários

Sobre a DigiKey Marketplace Venda na DigiKey.com Carreiras Mapa do site Soluções digitais Sala de imprensa

Ajuda e suporte Situação do pedido Opções/taxas de frete Devoluções e problemas de pedido

(+351) 22 06 08 025 eu.support@digikey.com

IPB090N06N3GATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB090N06N3GATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB090N06N3GATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPB090N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB090N06N3GATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	14 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB090N06N3GATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 34µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2900 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	71W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-3
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	IPB090

Preço unitário sem VAT:	1,58000 €
Preço unitário com VAT:	1,94340 €

IPB090N06N3GATMA1