Name: IPB095N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB095N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 6.4083 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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IPB095N20NM6ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPB095N20NM6ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPB095N20NM6ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPB095N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB095N20NM6ATMA1
Descrição	IPB095N20NM6ATMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 200 V 13A (Ta), 116A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-U01
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB095N20NM6ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 6
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	13A (Ta), 116A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V, 15V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	8,7mOhm a 62A, 15V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 186µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5500 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-3-U01
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB