Name: IPB110N20N3LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB110N20N3LFATMA1TR-ND
Price: 8.3271 EUR
Availability: InStock

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IPB110N20N3LFATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB110N20N3LFATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB110N20N3LFATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPB110N20N3LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB110N20N3LFATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 200 V 88A (Tc) 250W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB110N20N3LFATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4,2V a 260µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 76 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ 3	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 650 pF @ 100 V
Part Status Última compra	Dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 200 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 88A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPB110
Rds on (máx.) para Id, Vgs 11mOhm a 88A, 10V