IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IPB117N20NFDATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB117N20NFDATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB117N20NFDATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPB117N20NFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB117N20NFDATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB117N20NFDATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Descontinuado na DigiKey
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	84A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	11,7mOhm a 84A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 270µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6650 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	300W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-3-2
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	IPB117

Preço unitário sem VAT:	5,95000 €
Preço unitário com VAT:	7,31850 €

IPB117N20NFDATMA1