Name: IPB180N10S402ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB180N10S402ATMA1TR-ND
Price: 6.9249 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPB180N10S402ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB180N10S402ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB180N10S402ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPB180N10S402ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB180N10S402ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB180N10S402ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 200 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Séries OptiMOS™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 14600 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 180A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-7-3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro TO-263-7, D2PAK (6 condutores + aba)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,5mOhm a 100A, 10V	Número base de produto IPB180
Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 275µA