IPB180N10S403ATMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IPB180N10S403ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPB180N10S403ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPB180N10S403ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPB180N10S403ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB180N10S403ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 180A (Tc) 250W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB180N10S403ATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	180A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3,3mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 180µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	10120 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	250W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-7-3
Pacote / Invólucro	TO-263-7, D2PAK (6 condutores + aba)
Número base de produto	IPB180

Preço unitário sem VAT:	5,39000 €
Preço unitário com VAT:	6,62970 €

IPB180N10S403ATMA1