Name: IPB35N10S3L26ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND
Price: 3.0627 EUR
Availability: InStock

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IPB35N10S3L26ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPB35N10S3L26ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPB35N10S3L26ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB35N10S3L26ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	9 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	26,3mOhm a 35A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,4V a 39µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2700 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	71W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-3
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	IPB35N10