Name: IPB60R099C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R099C6ATMA1TR-ND
Price: 6.8019 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPB60R099C6ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB60R099C6ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB60R099C6ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPB60R099C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB60R099C6ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 37,9A (Tc) 278W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB60R099C6ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™ C6
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Não para novos designs
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	37,9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	99mOhm a 18,1A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 1,21mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	119 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2660 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	278W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-3
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	IPB60R099