Name: IPB60R099C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R099C6ATMA1TR-ND
Price: 8.3517 EUR
Availability: InStock

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IPB60R099C6ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB60R099C6ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB60R099C6ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPB60R099C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB60R099C6ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 37,9A (Tc) 278W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB60R099C6ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 1,21mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 119 nC @ 10 V
Séries CoolMOS™ C6	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2660 pF @ 100 V
Part Status Não para novos designs	Dissipação de potência (máx.) 278W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 37,9A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPB60R099
Rds on (máx.) para Id, Vgs 99mOhm a 18,1A, 10V

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Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Substitutos (12)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
FCB070N65S3	onsemi	2 150	FCB070N65S3CT-ND	7,11000 €	Direct
SIHB30N60E-GE3	Vishay Siliconix	430	SIHB30N60E-GE3-ND	6,12000 €	Similar
SIHB33N60E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHB33N60E-GE3-ND	6,20000 €	Similar
STB26NM60N	STMicroelectronics	1 786	497-10985-1-ND	7,12000 €	Similar
STB33N65M2	STMicroelectronics	739	497-15457-1-ND	4,59000 €	Similar