Name: IPB60R160P6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB60R160P6ATMA1TR-ND
Price: 4.9938 EUR
Availability: InStock

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IPB60R160P6ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPB60R160P6ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPB60R160P6ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPB60R160P6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB60R160P6ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 23,8A (Tc) 176W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB60R160P6ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4,5V a 750µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 44 nC @ 10 V
Séries CoolMOS™ P6	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2080 pF @ 100 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 176W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 23,8A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPB60R160
Rds on (máx.) para Id, Vgs 160mOhm a 9A, 10V