Name: IPB60R180P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R180P7ATMA1TR-ND
Price: 3.075 EUR
Availability: InStock

IPB60R180P7ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB60R180P7ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB60R180P7ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPB60R180P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB60R180P7ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB60R180P7ATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™ P7
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	180mOhm a 5,6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 280µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1081 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	72W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-3
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	IPB60R180

Preço unitário sem VAT:	2,50000 €
Preço unitário com VAT:	3,07500 €

IPB60R180P7ATMA1