Name: IPB65R095C7ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R095C7ATMA2TR-ND
Price: 8.0811 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPB65R095C7ATMA2
Número de produto da DigiKey	IPB65R095C7ATMA2TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB65R095C7ATMA2CT-ND - Fita cortada (CT) IPB65R095C7ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB65R095C7ATMA2
Descrição	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB65R095C7ATMA2 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 590µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 45 nC @ 10 V
Séries CoolMOS™ C7	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2140 pF @ 400 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 128W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 24A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPB65R095
Rds on (máx.) para Id, Vgs 95mOhm a 11,8A, 10V