IPB80N03S4L03ATMA1 está obsoleto e não é mais fabricado.
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PG-TO263-3-2
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPB80N03S4L03ATMA1

Número de produto da DigiKey
IPB80N03S4L03ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
IPB80N03S4L03ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante
Número de produto do fabricante
IPB80N03S4L03ATMA1
Descrição
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 30 V 80A (Tc) 94W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IPB80N03S4L03ATMA1 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Part Status
Obsoleto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
3,3mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,2V a 45µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
5100 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
94W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
Automotivo
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-TO263-3-2
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Obsoleto
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