Name: IPB80N04S4L04ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB80N04S4L04ATMA1TR-ND
Price: 2.5953 EUR
Availability: InStock

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IPB80N04S4L04ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPB80N04S4L04ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPB80N04S4L04ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPB80N04S4L04ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB80N04S4L04ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 80A (Tc) 71W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB80N04S4L04ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 60 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) +20V, -16V
Séries OptiMOS™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4690 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 71W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 80A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-3-2
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Rds on (máx.) para Id, Vgs 4mOhm a 80A, 10V	Número base de produto IPB80N
Vgs(th) (máx.) para Id 2,2V a 35µA

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Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
IXTA160N04T2	IXYS	7	IXTA160N04T2-ND	4,78000 €	Similar
STB120N4LF6	STMicroelectronics	985	497-11096-1-ND	2,39000 €	Similar

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