Name: IPB80N06S209ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S209ATMA2TR-ND
Price: 4.2066 EUR
Availability: InStock

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IPB80N06S209ATMA2
Número de produto da DigiKey	IPB80N06S209ATMA2TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB80N06S209ATMA2CT-ND - Fita cortada (CT) IPB80N06S209ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB80N06S209ATMA2
Descrição	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB80N06S209ATMA2 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 80 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Séries OptiMOS™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2360 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 190W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 55 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 80A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-3-2
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Rds on (máx.) para Id, Vgs 8,8mOhm a 50A, 10V	Número base de produto IPB80N
Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 125µA