Name: IPBE65R099CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND
Price: 6.2976 EUR
Availability: InStock

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IPBE65R099CFD7AATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPBE65R099CFD7AATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-3-10
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPBE65R099CFD7AATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™ CFD7A
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	99mOhm a 12,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 630µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2513 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	127W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-7-3-10
Pacote / Invólucro	TO-263-7, D2PAK (6 condutores + aba), TO-263CB
Número base de produto	IPBE65