Name: IPC100N04S51R7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC100N04S51R7ATMA1TR-ND
Price: 2.46 EUR
Availability: InStock

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IPC100N04S51R7ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPC100N04S51R7ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPC100N04S51R7ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPC100N04S51R7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPC100N04S51R7ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 100A (Tc) 115W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-34
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPC100N04S51R7ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 83 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Séries OptiMOS™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4810 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 115W (Tc)
Part Status Não para novos designs	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 100A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8-34
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,7mOhm a 50A, 10V	Número base de produto IPC100
Vgs(th) (máx.) para Id 3,4V a 60µA