Name: IPD055N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD055N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 2.6691 EUR
Availability: InStock

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IPD055N08NF2SATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPD055N08NF2SATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPD055N08NF2SATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPD055N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD055N08NF2SATMA1
Descrição	MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 17A (Ta), 98A (Tc) 3W (Ta), 107W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD055N08NF2SATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 5,5mOhm a 60A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 3,8V a 55µA
Séries StrongIRFET™ 2	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 54 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2500 pF @ 40 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 107W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 17A (Ta), 98A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO252-3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63