Name: IPD068N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD068N10N3GATMA1TR-ND
Price: 3.6777 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPD068N10N3GATMA1
Número de produto da DigiKey	IPD068N10N3GATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPD068N10N3GATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPD068N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD068N10N3GATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD068N10N3GATMA1 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 90µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 68 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4910 pF @ 50 V
Part Status Não para novos designs	Dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO252-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 90A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Número base de produto IPD068
Rds on (máx.) para Id, Vgs 6,8mOhm a 90A, 10V