Name: IPD110N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD110N12N3GATMA1TR-ND
Price: 2.9643 EUR
Availability: InStock

IPD110N12N3GATMA1
Número de produto da DigiKey	IPD110N12N3GATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPD110N12N3GATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPD110N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD110N12N3GATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 120 V 75A (Tc) 136W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD110N12N3GATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	120 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	11mOhm a 75A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 83µA (típ.)
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4310 pF @ 60 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	136W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO252-3
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IPD110

Preço unitário sem VAT:	2,41000 €
Preço unitário com VAT:	2,96430 €

IPD110N12N3GATMA1