Name: IPD11DP10NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND
Price: 2.3001 EUR
Availability: InStock

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IPD11DP10NMATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPD11DP10NMATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPD11DP10NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD11DP10NMATMA1
Descrição	TRENCH >=100V PG-TO252-3
Tempo de espera previsto do fabricante	25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 100 V 3,4A (Ta), 22A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD11DP10NMATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 1,7mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 74 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3200 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 125W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO252-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 3,4A (Ta), 22A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPD11D
Rds on (máx.) para Id, Vgs 111mOhm a 18A, 10V