IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

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IPD50N03S2L06ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPD50N03S2L06ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPD50N03S2L06ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD50N03S2L06ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 50A (Tc) 136W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3-11
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD50N03S2L06ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 68 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Séries OptiMOS™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1900 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 136W (Tc)
Part Status Obsoleto	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 50A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO252-3-11
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Rds on (máx.) para Id, Vgs 6,4mOhm a 50A, 10V	Número base de produto IPD50
Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 85µA

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Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Substitutos (3)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
IPD50N06S2L13ATMA2	Infineon Technologies	4 555	448-IPD50N06S2L13ATMA2CT-ND	2,03000 €	Recomendado pelo fabricante
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