Name: IPD50N06S409ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD50N06S409ATMA2TR-ND
Price: 1.7835 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPD50N06S409ATMA2
Número de produto da DigiKey	448-IPD50N06S409ATMA2TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPD50N06S409ATMA2CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPD50N06S409ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD50N06S409ATMA2
Descrição	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Tempo de espera previsto do fabricante	9 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3-11
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD50N06S409ATMA2 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 34µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	47.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3785 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	71W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO252-3-11
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IPD50