IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IPD50R1K4CEAUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPD50R1K4CEAUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPD50R1K4CEAUMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD50R1K4CEAUMA1
Descrição	MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 500 V 3,1A (Tc) 42W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD50R1K4CEAUMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™ CE
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	500 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	13V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,4Ohm a 900mA, 13V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 70µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	8.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	178 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	42W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO252-3
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IPD50R1

Preço unitário sem VAT:	0,71000 €
Preço unitário com VAT:	0,87330 €

IPD50R1K4CEAUMA1