Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 2.2878 EUR
Availability: InStock

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IPD60N10S4L12ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD60N10S4L12ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3-313
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD60N10S4L12ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 49 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±16V
Séries HEXFET®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3170 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 94W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 60A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO252-3-313
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Rds on (máx.) para Id, Vgs 12mOhm a 60A, 10V	Número base de produto IPD60N10
Vgs(th) (máx.) para Id 2,1V a 46µA