Name: IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1TR-ND
Price: 1.2669 EUR
Availability: InStock

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IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Descrição	MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 3,6A (Tc) 22W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3-344
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™ PFD7
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,5Ohm a 700mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 40µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	4.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	169 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	22W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO252-3-344
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IPD60R