Name: IPD60R650CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60R650CEAUMA1TR-ND
Price: 1.4145 EUR
Availability: InStock

IPD60R650CEAUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPD60R650CEAUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPD60R650CEAUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPD60R650CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD60R650CEAUMA1
Descrição	CONSUMER
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 9,9A (Tc) 82W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3-344
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD60R650CEAUMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™ CE
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Não para novos designs
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9,9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	650mOhm a 2,4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 200µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	20.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	440 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	82W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO252-3-344
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IPD60R

Preço unitário sem VAT:	1,15000 €
Preço unitário com VAT:	1,41450 €

IPD60R650CEAUMA1