


IPD65R1K4C6ATMA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IPD65R1K4C6ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPD65R1K4C6ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPD65R1K4C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPD65R1K4C6ATMA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 3,2A (Tc) 28W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPD65R1K4C6ATMA1 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Última compra | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 1,4Ohm a 1A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3,5V a 100µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 10.5 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 225 pF @ 100 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 28W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO252-3 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,25000 € | 1,25 € |
| 10 | 0,78700 € | 7,87 € |
| 100 | 0,52140 € | 52,14 € |
| 500 | 0,40728 € | 203,64 € |
| 1 000 | 0,37053 € | 370,53 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,33076 € | 826,90 € |
| 5 000 | 0,30618 € | 1 530,90 € |
| 7 500 | 0,29365 € | 2 202,38 € |
| 12 500 | 0,27959 € | 3 494,88 € |
| 17 500 | 0,27126 € | 4 747,05 € |
| 25 000 | 0,26538 € | 6 634,50 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,25000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,53750 € |







