Name: IPD65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND
Price: 2.3985 EUR
Availability: InStock

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IPD65R660CFDAATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPD65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD65R660CFDAATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 6A (Tc) 62,5W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD65R660CFDAATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	660mOhm a 3,22A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 214,55µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	543 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	62,5W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO252-3
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IPD65R660