Name: IPD65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND
Price: 2.952 EUR
Availability: InStock

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IPD65R660CFDAATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPD65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD65R660CFDAATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Tempo de espera previsto do fabricante	29 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 6A (Tc) 62,5W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD65R660CFDAATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 20 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Séries CoolMOS™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 543 pF @ 100 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 62,5W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 6A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO252-3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Rds on (máx.) para Id, Vgs 660mOhm a 3,22A, 10V	Número base de produto IPD65R660
Vgs(th) (máx.) para Id 4,5V a 214,55µA