Name: IPD80R1K2P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K2P7ATMA1TR-ND
Price: 2.0418 EUR
Availability: InStock

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IPD80R1K2P7ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPD80R1K2P7ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPD80R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD80R1K2P7ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 800 V 4,5A (Tc) 37W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD80R1K2P7ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 80µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 11 nC @ 10 V
Séries CoolMOS™ P7	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 300 pF @ 500 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 37W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 800 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO252-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 4,5A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPD80R1
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,2Ohm a 1,7A, 10V