


IPD80R1K4CEATMA1 | |
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Número de produto da DigiKey | IPD80R1K4CEATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPD80R1K4CEATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPD80R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPD80R1K4CEATMA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 26 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 800 V 3,9A (Tc) 63W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPD80R1K4CEATMA1 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 1,4Ohm a 2,3A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3,9V a 240µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 570 pF @ 100 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 63W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO252-3 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,55000 € | 1,55 € |
| 10 | 0,98700 € | 9,87 € |
| 100 | 0,66290 € | 66,29 € |
| 500 | 0,52398 € | 261,99 € |
| 1 000 | 0,47927 € | 479,27 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,41796 € | 1 044,90 € |
| 5 000 | 0,39147 € | 1 957,35 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,55000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,90650 € |








