Name: IPD80R2K7C3AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND
Price: 2.5461 EUR
Availability: InStock

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IPD80R2K7C3AATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD80R2K7C3AATMA1
Descrição	MOSFET N-CH TO252-3
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Montagem em superfície
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD80R2K7C3AATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 1.5 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Séries CoolMOS™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 290 pF @ 100 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 42W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 800 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 2A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA (DPAK)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,7Ohm a 1,2A, 10V	Número base de produto IPD80R2
Vgs(th) (máx.) para Id 3,9V a 250µA