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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IPD80R2K8CEBTMA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IPD80R2K8CEBTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPD80R2K8CEBTMA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3-11 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) | |
Part Status | Descontinuado na Digi-Key | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 2,8Ohm a 1,1A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3,9V a 120µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 290 pF @ 100 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 42W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO252-3-11 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
0 em estoque
Portugal