Name: IPDD60R037CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDD60R037CM8XTMA1TR-ND
Price: 7.5645 EUR
Availability: InStock

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IPDD60R037CM8XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPDD60R037CM8XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPDD60R037CM8XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPDD60R037CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPDD60R037CM8XTMA1
Descrição	IPDD60R037CM8XTMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 72A (Tj) 416W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-10-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPDD60R037CM8XTMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	72A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	37mOhm a 27A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,7V a 680µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	79 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3458 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	416W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HDSOP-10-1
Pacote / Invólucro	Módulo 10-PowerSOP