Name: IPDD60R037CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDD60R037CM8XTMA1TR-ND
Price: 8.7576 EUR
Availability: InStock

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IPDD60R037CM8XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPDD60R037CM8XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPDD60R037CM8XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPDD60R037CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPDD60R037CM8XTMA1
Descrição	IPDD60R037CM8XTMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 72A (Tj) 416W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-10-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPDD60R037CM8XTMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 37mOhm a 27A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 4,7V a 680µA
Séries CoolMOS™	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 79 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3458 pF @ 400 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 416W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 72A (Tj)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HDSOP-10-1
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro Módulo 10-PowerSOP