Name: IPDD60R190G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPDD60R190G7XTMA1TR-ND
Price: 3.8253 EUR
Availability: InStock

IPDD60R190G7XTMA1
Número de produto da DigiKey	IPDD60R190G7XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPDD60R190G7XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPDD60R190G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPDD60R190G7XTMA1
Descrição	MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Tempo de espera previsto do fabricante	28 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 13A (Tc) 76W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-10-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPDD60R190G7XTMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™ G7
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	13A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	190mOhm a 4,2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 210µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	718 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	76W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HDSOP-10-1
Pacote / Invólucro	Módulo 10-PowerSOP
Número base de produto	IPDD60

Preço unitário sem VAT:	3,11000 €
Preço unitário com VAT:	3,82530 €

IPDD60R190G7XTMA1