Name: IPG20N04S4L11ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N04S4L11ATMA1TR-ND
Price: 1.722 EUR
Availability: InStock

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IPG20N04S4L11ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPG20N04S4L11ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPG20N04S4L11ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPG20N04S4L11ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPG20N04S4L11ATMA1
Descrição	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 40V 20A 41W Montagem em superfície PG-TDSON-8-4
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPG20N04S4L11ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (duplo)
Característica FET	Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	20A
Rds on (máx.) para Id, Vgs	11,6mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,2V a 15µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	26nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1990pF a 25V
Potência - Máx.	41W
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8-4
Número base de produto	IPG20N