Name: IPG20N06S2L35AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N06S2L35AATMA1TR-ND
Price: 2.3247 EUR
Availability: InStock

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IPG20N06S2L35AATMA1
Número de produto da DigiKey	IPG20N06S2L35AATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPG20N06S2L35AATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPG20N06S2L35AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPG20N06S2L35AATMA1
Descrição	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	35 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 55V 20A (Tc) 65W Montagem em superfície, flanco impregnável PG-TDSON-8-10
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPG20N06S2L35AATMA1 Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 27µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 23nC a 10V
Séries OptiMOS™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 790pF a 25V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Potência - Máx. 65W
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Configuração 2 canais N (duplo)	Qualificação AEC-Q101
Característica FET Porta de nível lógico	Tipo de montagem Montagem em superfície, flanco impregnável
Tensão dreno-fonte (Vdss) 55V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 20A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8-10
Rds on (máx.) para Id, Vgs 35mOhm a 15A, 10V	Número base de produto IPG20N